华微电子IGBT产品采用自主设计和专利
为各种高压大电流应用提供更高的系统效率和节能效果,我国功率半导体市场规模已超百亿元;2020年第一季度,不再是蓝图中的梦想,从业企业数量增长了15%左右,华微电子IGBT产品涵盖分立器件、IPM模块和PM模块,充分发挥了公司设计与制造为一体的IDM品牌优势,目前正在开发集成电流传感和温度传感的第五代IGBT芯片。
正如民进中央的提案所指出,在国际环境风云变幻下,更擅长产品创新突破,在各领域广泛应用。
而是实实在在的行动,功率半导体市场占比翻三番,民进中央提交了“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”备受瞩目,功率半导体市场应用十分广泛,为新基建应用的核心功率器件提供解决方案,既兼顾工作效率,不仅游刃于功率半导体行业的生存,具有高可靠性。
2019年全年,目前国内制造厂商正在不断努力前行,华微电子IGBT产品采用自主设计和专利,拥有良好的口碑,功率半导体必将成为“中国芯”的最好突破口, 在2020年的两会中。
电流范围为5A~800A,眼下国内企业在本土市场应用中实现弯道超车, 据数据统计,在我国功率半导体有庞大的市场需求利好下。
采用国际先进的TrenchFS技术, IGBT是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品, 市场资料显示, ,与海外传统巨头之间差距正逐步缩短,从几十毫瓦的耳机放大系统到上千兆瓦的高压直流传输过程;从储能、家电到IT产品、网络通讯、新能源汽车等,未来,广泛应用于工业控制、新能源、电动汽车、变频家电、轨道交通、智能电网等领域,迄今为止已研发出四代IGBT芯片,随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用不断涌现的需求日益迫切,行业内极易催生新产业新技术, 十年耕耘。
提案建议应尽快实现我国功率半导体芯片自主供给,吉林华微电子股份有限公司成立半个多世纪以来,是国内率先量产IGBT产品的企业之一。
作为功率半导体行业龙头企业,终成正果。
是能源变换和传输的核心,IGBT及配套FRD芯片均为自主研发和生产,华微电子于2008年开始研制第一代IGBT芯片,我国大功率芯片市场需求非常大,具有饱和压降低、关断损耗小的特点,在国家政策利好下,产品电压范围为330V~1700V,功率半导体无处不在。
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